特許
J-GLOBAL ID：200903021688771890
半導体装置製造用トランスファモールド金型及び半導体装置製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川口 義雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-063515
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267374
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 樹脂封止型半導体装置を製造する際に使用するトランスファモールド金型により、高品質で薄型の半導体装置を製造できるようにする。【構成】 トランスファモールド金型は、上金型本体12及び下金型本体13、並びにキャビティの壁面を構成する上金型可動部3及び下金型可動部4とを備え、キャビティ9の内部に半導体素子5が配置され、可動部3、4を夫々移動させて、半導体素子5と可動部3との間隔及びダイ・パッド6と可動部4との間隔を共に300μmとし、樹脂7をキャビティ9に注入し、可動部3、4の間隔を0.45mmに狭め、超薄型の面実装型樹脂封止型半導体装置の成型品を得る。
請求項（抜粋）：
キャビティを構成する壁面が前記半導体装置の厚み方向に移動する構造を有することを特徴とする半導体装置製造用トランスファモールド金型。
IPC (5件)：
H01L 21/56
, B29C 45/26
, B29C 45/56
, B29C 45/02
, B29L 31:34
