特許

J-GLOBAL ID：200903021689196724

光センサおよび放射線検出素子

発明者： 黄 忠守 ,  高林 敏雄
出願人/特許権者： 浜松ホトニクス株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-267632
公開番号（公開出願番号）：特開平5-110126
出願日： 1991年10月16日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 a-Si放射線センサを高感度化する。【構成】 支持基板に形成された第1の電極上に、第1導電型キャリア阻止層および光電変換層22が順次に積層され、光電変換層22の周辺部分に第2導電型キャリア阻止層が形成されると共に中央部分の光電変換層22が絶縁膜31で被覆され、絶縁膜31上には第2の電極と第2導電型キャリア阻止層に接続された透明電極32が設けられる。光電変換層22の周辺部表面に阻止層が設けられ、これに囲まれる光電変換層22の中央部表面に絶縁膜31を介して透明電極32が設けられるので、透明電極32と素子層に共通のバイアスを印加することで、素子の上下方向に大きな電界を形成でき、光生成した光電変換層22内のキャリアを効率よく取り出し得る。

請求項（抜粋）：

支持基板に形成された第1の電極上に、第1導電型キャリア阻止層および光電変換層が順次に積層され、前記光電変換層の周辺部分に第2導電型キャリア阻止層が形成されると共に中央部分の前記光電変換層が絶縁膜で被覆され、前記絶縁膜上には前記第1の電極に対応する第2の電極および前記第2導電型キャリア阻止層に接続された透明電極が設けられていることを特徴とする光センサ。

IPC (4件)：

H01L 31/09 ,  G01J 1/02 ,  G01T 1/20 ,  H01L 31/10

FI (2件)：

H01L 31/00 A ,  H01L 31/10 A