特許
J-GLOBAL ID:200903021696912630

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-171784
公開番号(公開出願番号):特開平8-045917
出願日: 1992年03月26日
公開日(公表日): 1996年02月16日
要約:
【要約】【目的】 微細で深い溝や穴を高真空中で高速エッチングできる方法及び装置を提供することを目的とする。【構成】 動作圧力を1mTorr以下、ガス流量を40sccm以上とし、実効排気速度を1300 l/sec以上とし、チャンバ内における反応ガスの滞在時間を100msec以下とする。【効果】 1mTorr以下の高真空下で高いイオンの方向性を保ちながら、1000nm/min以上の高いエッチング速度を得ることができる。
請求項(抜粋):
プラズマ放電する機構、ガス導入口、ガス排気口を有し、被処理物を真空処理室内のECRポジション以外の場所に保持する手段、ガス導入口から真空処理室内にガスを導入する手段、該ガスにより放電部にガスプラズマを発生させるために、電磁波を導入する手段、該ガスプラズマ及びこれより発生するガスをガス排気口を通して真空処理室から、実効排気速度500 l/sec以上で排気する手段を有する、被処理物を処理するプラズマ処理装置。
IPC (2件):
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

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