データ記憶システム及び同システムに適用するアクセス制御方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-188518
公開番号（公開出願番号）：特開平11-031102
出願日： 1997年07月14日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：

【要約】【課題】2値フラッシュメモリ及び多値フラッシュメモリの複数タイプのフラッシュメモリを使用した半導体ディスク装置に対してホストシステムがアクセスしたときに、アクセス対象のデータの内容に応じて各タイプの性能に適合するデータアクセスを実現できるデータ記憶システムを提供することにある。【解決手段】メモリデバイスとして2値フラッシュメモリ2A及び多値フラッシュメモリ2Bの複数タイプを使用し、使用目的に従って各タイプのメモリ領域を区別してアクセスできるデータ記憶システムである。コントローラ3は、ホストコンピュータ4からのアクセス要求に従って、アクセス対象のデータの内容(種別)に従って高速記憶領域2Aまたは低速記憶領域2bをアクセス制御する。

請求項（抜粋）：

フラッシュEEPROMをデータ記憶手段として使用したデータ記憶システムであって、アクセス速度性能の異なる少なくとも2種類のフラッシュEEPROMからなるメモリデバイスと、使用目的に従って前記メモリデバイスのアクセス制御を実行する制御手段とを具備し、前記制御手段は、前記異なる種類のフラッシュEEPROMに従って前記メモリデバイスの全記憶領域を高速領域と低速領域とに区別し、高速領域と低速領域とを識別するための記憶領域情報をホストシステム側に通知する手段を有することを特徴とするデータ記憶システム。

IPC (2件)：

G06F 12/06 522 , G11C 16/02

FI (3件)：

G06F 12/06 522 A , G11C 17/00 601 T , G11C 17/00 641

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