特許
J-GLOBAL ID：200903021710023886
絶縁膜形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-235202
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074762
出願日： 1991年09月17日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 Si基板/絶縁膜界面や絶縁膜中に、シリコン原子の不対結合手や未結合手の発生を抑制して、絶縁耐圧の優れた絶縁膜を形成する。【構成】 Si基板30を清浄化した後、Si基板に窒素原子およびフッ素原子の双方またはいずれか一方をイオン注入する。その後、反応炉中で、イオン注入済みのSi基板36を、800°C〜950°C程度に加熱しながら、酸素ガス雰囲気中で、酸化する。この酸化によって、窒素およびフッ素の双方またはいずれか一方の原子が主として酸化膜40中に拡散して、Siの酸化膜/Si基板との界面近傍の不対結合手や未結合手に作用して安定なSi-N結合やO-N結合等を形成する。
請求項（抜粋）：
反応炉内でシリコンの下地に対し酸化性ガス雰囲気中で加熱処理を行って該下地に絶縁膜を形成するに当り、シリコンの下地を清浄化する工程と、清浄化済みの前記下地に窒素およびフッ素の双方またはいずれか一方の原子をイオン注入して、前記下地中の表面領域にイオン注入層を形成する工程と、前記反応炉内で、前記イオン注入層の形成済みの下地の表面領域を、酸化性ガス雰囲気中で、加熱処理を行って、絶縁膜としてのシリコンの酸化膜を形成する工程とを含むことを特徴とする絶縁膜形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316
, H01L 21/324
