特許
J-GLOBAL ID：200903021712172498
半導体部品の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤本 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-307392
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142516
出願日： 1993年11月12日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：
【要約】【目的】 ダイシング時にチップ固定用の導電性接着剤層を付与する方法における、工程の簡略性や特殊塗布装置の不要性、付与接着剤の均一厚性、接着処理時間の短時間性等の利点を活かしつつ、ダイシング時での洗浄液圧に耐える半導体ウエハの接着保持を満足し、しかも発泡を伴うことなく充分な接着力で導電性よく固定できて高温での耐湿特性に優れ、水分膨脹による封止樹脂の割れを生じない半導体部品を製造効率よく形成できる方法の開発。【構成】 支持基材の上に分離容易に設けた低融点金属層にて接着保持した半導体ウエハを素子小片に分断するダイシング工程、及び形成された素子小片(1)を前記金属層の小片(2)の付着下に支持基材より分離し、その金属層小片を介し素子小片を被着体(3)上に配置して加熱下に前記金属層小片を介し接着固定するマウント工程からなる半導体部品の製造方法。
請求項（抜粋）：
支持基材の上に分離容易に設けた低融点金属層にて接着保持した半導体ウエハを素子小片に分断するダイシング工程、及び形成された素子小片を前記金属層の小片の付着下に支持基材より分離し、その金属層小片を介し素子小片を被着体上に配置して加熱下に前記金属層小片を介し接着固定するマウント工程からなることを特徴とする半導体部品の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/78 M
, H01L 21/78 Y
