特許
J-GLOBAL ID：200903021717394057
膜厚測定方法および薄膜形成方法ならびに薄膜形成装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-249176
公開番号（公開出願番号）：特開平8-114440
出願日： 1994年10月14日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウエハに安定的に所望の膜厚の薄膜を形成できる薄膜形成装置を提供する。【構成】 半導体ウエハ1の設定膜厚値、半導体ウエハ1に対する成膜時間および半導体ウエハ1のベンド量と膜厚との相関データを入力する入力部13と、半導体ウエハ1のベンド量を測定するベンド量測定部11と、入力された成膜時間経過後にベンド量測定部11によって測定された半導体ウエハ1のベンド量から薄膜の膜厚値を算出し、その膜厚値が設定膜厚値に達している場合には成膜を終了させて次シーケンスに移行させる一方、そうでない場合には設定膜厚値に達するまでさらに成膜を継続させる制御部12とを有するものである。
請求項（抜粋）：
ステージに載置されて薄膜が形成される板状ワークのベンド量を測定し、このベンド量を前記板状ワークに形成された薄膜の膜厚に換算して前記薄膜の膜厚値を算出することを特徴とする膜厚測定方法。
IPC (3件)：
G01B 21/08
, H01L 21/205
, H01L 21/66
