特許

J-GLOBAL ID：200903021719975626

半導体不揮発性記憶装置およびその書き込み方法

発明者： 西原 利幸
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-268421
公開番号（公開出願番号）：特開平9-115291
出願日： 1995年10月17日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【課題】 メモリセルの書き込み時にホットエレクトロンの発生を抑制でき、これに基づく誤書き込みを防止できる半導体不揮発性記憶装置およびその書き込み方法を実現する。【解決手段】 メモリセル1,3のコントロールゲートがワード線WL1 に接続され、メモリセル2,4のコントロールゲートがワード線WL2 に接続され、メモリセル1,2,3,4のソースおよびドレインがそれぞれワード線WL1 ,WL2 と垂直に配置されたソース線SL1 ,SL2 およびビット線BL1 ,BL2に接続されたメモリアレイにおいて、まず全ワード線WL1 ,WL2 を中間電位に立ち上げ、そして非選択ビット線BL2 を中間電位に立ち上げ、最後に選択ワード線WL1 を高電位に立ち上げる3ステップによって書き込みを行う。

請求項（抜粋）：

電荷蓄積層を有する複数のメモリセルが行列状に配列され、同一行のメモリセルの制御ゲートが共通のワード線に接続され、同一列のメモリセルの拡散層が共通のビット線に接続された半導体不揮発性記憶装置であって、書き込み時に、全ワード線を第1の電位とこれより高電位の第2の電位との中間電位に保持した後、非選択のビット線を当該中間電位に保持した状態で、選択されたワード線のみを第2の電位に保持する半導体不揮発性記憶装置。