特許

J-GLOBAL ID：200903021720482366

強誘電体材料および該材料をゲートとして用いた電界効果型トランジスタ

発明者： 井上 俊春
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 池浦 敏明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-261915
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094608
出願日： 1993年09月24日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 ゲート上に形成する強誘電体薄膜材料としてPbとTiの酸化物を使用する場合、該材料中にさらに特定の元素を添加することによって該材料の不安定性を低減し、デバイスとしての動作を安定、向上させる。【構成】 PbとTiの酸化物(以下、PTOという)に、該PTOがn型の場合にはアクセプタとなりうる元素を、また、PTOがp型の場合にはドナーなり得る元素を添加したもので構成され、該元素添加量が1元素当たり3重量%以下である強誘電体材料を、導電層(M)、ゲートとして強誘電体薄膜2(F)および半導体層(S)を備えた電界効果型トランジスタ(MFSFET)におけるゲート材料として使用する。

請求項（抜粋）：

PbとTiの酸化物に、該酸化物がn型の場合にはアクセプタとなりうる元素を、該酸化物がp型の場合にはドナーとなり得る元素を少なくとも1種以上添加したもので構成され、該元素添加量が1元素当たり3重量%以下である強誘電体材料。

IPC (3件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792