不揮発性記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲岡耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-132620
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326893
出願日： 1992年05月25日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】さらなる高集積化を実現できる不揮発性記憶装置を提供する。【構成】トラップ膜35に電荷を蓄積することにより情報を記憶するMNOSFET20D,20E,20Fを、アレー状に配置し、各MNOSFET20D,20E,20Fのゲート電極36にワードラインを接続し、ソース領域およびドレイン領域となる拡散層33に、ワードラインと直交するかたちでビットラインを接続し、ワードラインとビットラインの間に、両者間を絶縁するLOCOS酸化膜37を介在させている。

請求項（抜粋）：

半導体基板に、チャネル領域と、チャネル領域を挟んでソース領域およびドレイン領域となる拡散層とが形成され、チャネル領域上に電荷を蓄積する電荷蓄積膜が形成され、電荷蓄積膜上にゲート電極が形成され、チャネル領域とドレイン領域との境界付近で発生する電荷を電荷蓄積膜に注入蓄積することにより情報を記憶する不揮発性記憶素子が、複数個アレー状に配列されており、上記ゲート電極にワードラインが接続され、上記ソース領域およびドレイン領域となる拡散層に、ワードラインと直交するかたちでビットラインが接続され、上記ワードラインとビットラインとの間に、当該両者間を絶縁する酸化膜が介在されていることを特徴とする不揮発性記憶装置。

IPC (3件)：

H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

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