特許

J-GLOBAL ID：200903021732376707

銅と半導体の化合物を含むメタラジを有する電子デバイス

発明者： マイケル・ジョン・ブラディー ,  カーチス・エドワード・ファレル ,  スン・クオン・カン ,  ジェフリー・ロバート・マリノ ,  ドナルド・ジョーゼフ・ミカルセン ,  ポール・アンドリュー・モスコウィッツ ,  ユージン・ジョン・オサリバン ,  テレンス・ロバート・オトゥール ,  サンパス・プルショタマン ,  シェルドン・コール・リーレイ ,  ジョージ・フレデリック・ウォーカー
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 頓宮 孝一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-058439
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021140
出願日： 1993年03月18日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】 シリコン及びゲルマニウムを含有する材料を含むメタラジ構造を有する半導体パッケージ構造を提供すること。【構成】 電子デバイスの導体の表面に、シリコン及びゲルマニウムを含む材料を使用する。この表面には、はんだをフラックスなしで接着することができ、ワイヤをワイヤ・ボンディングすることができる。上記の材料は、集積回路チップを実装するためのリード・フレーム用の表面被覆として使用する。上記の材料は、導体表面上にデカル転写することができ、また導体表面上に無電解法または電解法で配設することができる。

請求項（抜粋）：

電気導体を含む基板を含み、前記電気導体が1つの表面を有し、少なくとも前記表面の一部が表面材料を含み、前記表面材料がシリコン、ゲルマニウム、及びそれらの組合せから成る群から選択された第1の材料と、金属からなる第2の材料を含む、半導体チップへの電気的相互接続を形成するための構造。

IPC (2件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/321

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-000731