特許

J-GLOBAL ID：200903021733406235

磁気メモリとその駆動方法、およびこれを用いた磁気メモリ装置

発明者： 平本 雅祥 ,  松川 望 ,  小田川 明弘 ,  里見 三男 ,  杉田 康成 ,  川島 良男
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-178745
公開番号（公開出願番号）：特開2003-078114
出願日： 2002年06月19日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：

【要約】【課題】 高集積化に伴う問題を解消しやすくするために、多値化が可能な磁気メモリを提供する。【解決手段】 層の厚さ方向に積層された2以上のメモリ層と2以上のトンネル層とを含み、上記2以上のメモリ層が電気的に直列に接続され、上記2以上のメモリ層から選ばれる少なくとも1つからなる第1層群における磁化反転により生じる抵抗変化と、上記2以上のメモリ層から選ばれる少なくとも1つからなる第2層群における磁化反転により生じる抵抗変化とが互いに相違する磁気メモリとする。

請求項（抜粋）：

層の厚さ方向に積層された2以上のメモリ層と2以上のトンネル層とを含み、前記2以上のメモリ層が電気的に直列に接続され、前記2以上のメモリ層から選ばれる少なくとも1つからなる第1層群における磁化反転により生じる抵抗変化と、前記2以上のメモリ層から選ばれる少なくとも1つからなる第2層群における磁化反転により生じる抵抗変化とが互いに相違する磁気メモリ。

IPC (5件)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/15 110 ,  G11C 11/15 140 ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 43/08

FI (5件)：

G11C 11/15 110 ,  G11C 11/15 140 ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (13件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA10 ,  5F083GA15 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083LA18 ,  5F083PR04 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA21