特許

J-GLOBAL ID：200903021737382462

半導体製造装置

発明者： 織田 昌雄 ,  友田 利正 ,  佐々木 茂雄 ,  後藤 令幸 ,  神田 智幸 ,  町田 一道 ,  北野 勝久 ,  木之下 儀美 ,  古森 秀樹 ,  鷲谷 明宏 ,  江島 泰蔵 ,  西本 章 ,  吉田 和夫
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-060536
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267183
出願日： 1992年03月17日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】 ウエハの面内温度分布の均一化を図ることによってウエハ表面に形成される薄膜の膜厚および膜質の均一化の向上を可能にした半導体製造装置を提供する。【構成】 ウエハ1と赤外線ランプ6との間に赤外線ランプ6の照射熱をウエハ1に均一に伝える均熱板13を設け、この均熱板13にウエハ1を収容可能な凹部18を設け、かつ、この凹部18の中にウエハ1を均熱板13より離して設ける。

請求項（抜粋）：

ウエハを収容する反応室と、前記ウエハを加熱する加熱手段とを備えてなる半導体製造装置において、前記ウエハと前記加熱手段との間に前記加熱手段の熱を前記ウエハに均一に伝える均熱板を前記ウエハより離して設けたことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/52

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-095924
  
• 特開昭61-278664
  
• 特開昭60-139980