特許
J-GLOBAL ID：200903021741738492
II-VI族化合物半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-053588
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263751
出願日： 1994年03月24日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【構成】 p型Znx Mg1-x S y Se1-y (0≦x≦1,0≦y≦1)半導体層を有し、該半導体層上に少なくとも金属の窒化物層を介して電極層が形成されて構成されているII-VI族化合物半導体装置。【効果】 接触抵抗の小さい電極を有することにより、低い動作電圧を有する青色発光素子の実現が可能となる。
請求項（抜粋）：
p型Znx Mg1-x S y Se1-y (0≦x≦1,0≦y≦1)半導体層を有し、該半導体層上に少なくとも金属性窒化物層を介して電極層が形成されて構成されていることを特徴とするII-VI族化合物半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 29/43
, H01S 3/18
