特許

J-GLOBAL ID：200903021750675797

半導体装置の製造方法及び製造装置

発明者： 林 敬之 ,  大勝 敏秀
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-154971
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349059
出願日： 1999年06月02日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】 この発明は基板の洗浄を確実に行うことができるようにした半導体装置の製造方法を提供することにある。【解決手段】 基板10に薄膜を成膜して形成される半導体装置の製造方法において、上記基板を洗浄液によって洗浄する洗浄工程と、洗浄された基板を乾燥させる乾燥工程とを具備し、上記洗浄工程は洗浄液をノズル体11aから上記基板に向けて高圧で噴射することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板に薄膜を成膜して形成される半導体装置の製造方法において、上記基板を洗浄液によって洗浄する洗浄工程と、洗浄された基板を乾燥させる乾燥工程とを具備し、上記洗浄工程は洗浄液をノズル体から上記基板に向けて高圧で噴射することを特徴とする半導体装置の製造方法。