特許
J-GLOBAL ID:200903021755400710

磁気素子とその製造方法並びにその製造装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-272071
公開番号(公開出願番号):特開平10-116715
出願日: 1996年10月15日
公開日(公表日): 1998年05月06日
要約:
【要約】【課題】 小型であっても良好な磁気特性を示す磁気素子及びその磁気素子を容易に製造することができる製造方法並びにその製造装置を提供する。【解決手段】 基板上に形成された軟磁性薄膜からなる磁気素子1であって、磁気素子1の中央部3の膜厚に比べて膜厚の薄い部分2を有し、磁気ヒステリシスにおいて急激な磁化反転を示す磁気特性を有してなることを特徴とする磁気素子1。
請求項(抜粋):
基板上に形成された軟磁性薄膜からなる磁気素子であって、磁気素子の中央部の膜厚に比べて膜厚の薄い部分を有し、磁気ヒシテリシスにおいて急激な磁化反転を示す磁気特性を有してなることを特徴とする磁気素子。
IPC (4件):
H01F 1/18 ,  C23C 14/06 ,  G01R 33/02 ,  G01V 1/40
FI (4件):
H01F 1/18 ,  C23C 14/06 T ,  G01R 33/02 A ,  G01V 1/40

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