特許

J-GLOBAL ID：200903021761242116

半導体式ガスセンサ

発明者： 粂川 武弘 ,  山形 実 ,  能登谷 正之 ,  佐藤 博 ,  八島 勇 ,  辰元 克充
出願人/特許権者： 三井鉱山株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-356504
公開番号（公開出願番号）：特開平7-311171
出願日： 1992年12月22日
公開日（公表日）： 1995年11月28日
要約：

【要約】【目的】 ガスを検知するために予め素子に電流を流しておくことなく、各種ガスを広範囲の濃度で測定でき、センサ装置の小型化や回路との一体化が可能で、酸化性、還元性、不活性雰囲気においても使用可能なガスセンサを提供する。【構成】 ダイヤモンド半導体層表面に形成された電極が所定数電気的に接続されてなる半導体式ガスセンサにおいて、電気的に接続された1対の電極がダイヤモンド半導体層と形成するそれぞれの界面に温度差を生じさせる温度調節手段を設けてなることを特徴とする半導体式ガスセンサ。

請求項（抜粋）：

ダイヤモンド半導体層表面に形成された電極が所定数電気的に接続されてなる半導体式ガスセンサにおいて、電気的に接続された1対の電極がダイヤモンド半導体層と形成するそれぞれの界面に温度差を生じさせる温度調節手段を設けてなることを特徴とする半導体式ガスセンサ。