特許
J-GLOBAL ID：200903021762185540
薄膜太陽電池およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-305527
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148605
出願日： 1995年11月24日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：
【要約】【課題】レーザ加工時の基板表面側の他の層への影響を防ぐために基板裏面の第三電極層の表面層を低反射率のCu原材料で形成した場合、異なる材料よりなる他の層との反応によるCu表面の変色、あるいは太陽電池特性の低下を防止する。【解決手段】Cu系材料の表面層とAg、Alなどよりなる第三電極層との間にTi、Cr、Ni、Mo、Alなど、Cuより標準還元電位の低い材料よりなる中間層をはさむ。これにより電気化学反応、拡散あるいは合金反応が抑止され、変色、特性低下が起きない。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板の一面上に光電変換層である半導体層をはさんで基板側に第一電極層、反対側に透明な第二電極層が設けられ、基板の他面上に表面層が銅あるいはその合金よりなる第三電極層が設けられ、レーザ加工により分割された第三電極層の一領域が基板に開けられた第一貫通孔を通じて第一電極層、光電変換層および第二電極層よりなる積層体の分割された領域の第一電極層と接続され、また基板、第一電極層および光電変換層に開けられた第二貫通孔を通じて前記積層体領域に隣接する積層体領域の第二電極層と接続される薄膜太陽電池において、第三電極層の銅あるいはその合金よりなる表面層と基板の他面に接する基層との間に導電性の中間層が介在することを特徴とする薄膜太陽電池。
FI (2件)：
H01L 31/04 M
, H01L 31/04 V
