特許
J-GLOBAL ID：200903021767191076
GaAs単結晶及びその製造方法並びにGaAsウェハのイオン打込み制御方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-212779
公開番号（公開出願番号）：特開平6-056582
出願日： 1992年08月10日
公開日（公表日）： 1994年03月01日
要約：
【要約】【目的】結晶中の炭素濃度分布に一定の規則性をもたせ、結晶両端の特性を評価しただけで内部の炭素濃度分布を正確に把握できるようにし、ウェハにイオンを打ち込んで熱処理を加えた際の活性化率のばらつきを小さくして、素子の製造歩留りを向上させる。【構成】結晶成長容器1内に設置したルツボ11内にGaAs融液5を形成する。融液形成後、ガス導入配管8を通じて、容器1内に一酸化炭素を混合したアルゴンガスを導入し、結晶成長前は、容器1内一酸化炭素濃度が3000ppmになるように設定する。結晶成長中は、容器1内一酸化炭素濃度は、ガス採集配管7を通じて採集した容器内雰囲気ガスを一酸化炭素濃度検出器10を用いて検出し、3000ppmから4000ppmまで単調に増加するように、マスフローコントローラ9を通じて容器1内のガスを一定速度で置換する。
請求項（抜粋）：
結晶中に炭素を不純物として含有する半絶縁性GaAs単結晶において、結晶中の炭素濃度の分布が、結晶の頭部から尾部にかけて単調に増加または減少していることを特徴とするGaAs単結晶。
IPC (2件)：
引用特許：
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