特許

J-GLOBAL ID：200903021769762879

炭化珪素単結晶の製造方法

発明者： 近藤 宏行 ,  廣瀬 富佐雄 ,  岡本 篤人
出願人/特許権者： 株式会社デンソー ,  株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-338390
公開番号（公開出願番号）：特開2001-158695
出願日： 1999年11月29日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：

【要約】【課題】 炭化珪素基板結晶を覆う被覆材料の熱エッチング及び炭化珪素基板結晶の炭化を防止する。【解決手段】 熱処理時には、るつぼ1内が、該熱処理時の熱処理温度における炭化珪素中の珪素の飽和蒸気圧よりも高い珪素蒸気圧雰囲気となるようにする。例えば、るつぼ1内に珪素を含む材料6を配置することによって、熱処理時にるつぼ1内の珪素蒸気圧雰囲気を高くすることができる。このように、珪素飽和蒸気圧より高い珪素蒸気圧雰囲気、つまり珪素リッチの状態になるようにすれば、被覆材料5からの珪素の昇華を防止することができ、熱処理時に被覆材料5によってマイクロパイプ欠陥4aが確実に覆われるようにすることができる。これにより、被覆材料5が熱エッチングされることを防止でき、また、炭化珪素基板結晶4が炭化されることを防止することができる。

請求項（抜粋）：

マイクロパイプ欠陥(4a)を有する炭化珪素基板結晶(4)の表面の少なくとも一面に被覆材料(5)を形成する工程と、前記炭化珪素基板結晶を熱処理装置(1、2)内に配置する工程と、前記熱処理装置によって熱処理を行い、前記炭化珪素基板結晶内でマイクロパイプ欠陥を閉塞させて閉塞孔(4b)とする工程と、を含んでおり、前記熱処理時には、前記熱処理装置内が、該熱処理時の熱処理温度における炭化珪素中の珪素の飽和蒸気圧よりも高い珪素蒸気圧雰囲気となるようにすることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。

Fターム (4件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077FE06 ,  4G077FE07