特許

J-GLOBAL ID：200903021777562510

クロム系材料のパターン形成方法

発明者： 鏡 一郎
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-034876
公開番号（公開出願番号）：特開平6-230557
出願日： 1993年01月30日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】 高精度で微細加工が可能なポジ型電子線レジストを用いてクロム系材料をパターニングする場合に、レジストの耐性良く良好なパターン加工が実現でき、被加工面内の加工均一性を向上して、精度良く信頼性の高い微細加工を、汚染の問題を抑えて達成するパターン形成方法を提供する。【構成】 含Fレジスト等ポジ型電子線レジストを用いてクロム系材料をエッチングする際、エッチングガスとしてCl2 とO2 を含みかつO及びHを少なくとも構成原子として分子中に有するガス(水分を含む空気やN2 等)を含有率0.600〜0.720の範囲で混合ガスとして使用するクロム系材料のパターン形成方法。

請求項（抜粋）：

ポジ型電子線レジストを用いてクロム系材料をエッチングしてパターン形成を行うクロム系材料のパターン形成方法において、エッチングガスとして塩素ガスと、酸素ガスと、水素原子及び酸素原子を少なくとも構成原子として分子中に有するガスとの混合ガスを用いるとともに、該混合ガス中の前記水素原子及び酸素原子を少なくとも構成原子として分子中に有するガスとの含有率が0.600〜0.720の範囲にあることを特徴とするクロム系材料のパターン形成方法。

IPC (4件)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/302