特許
J-GLOBAL ID：200903021778823767
薄膜トランジスタおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-087322
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286419
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：
【要約】【課題】本発明は、多結晶または微結晶TFTのオン・オフ電流比および移動度を増加する製造方法を提供する。【解決手段】これは、n型のある部分およびp型のある部分をドーピングすることにより達成され、それによりp-n接合をチャネル内に形成する。そのような構造において、ゲート電圧が印加されない場合には、チャネル内のp-n接合によりオフ電流が削減される。正(または負)バイアスが印加された場合には、チャネルのp型(またはn型)領域が逆転し、チャネルのn型(またはp型)領域でチャネル高伝導を得ることが出来る。これにより、オフ電流を低く保ちながら、オン電流およびTFTの移動度が増加する。
請求項（抜粋）：
チャネル領域がp型およびn型領域から成り、p-n接合が領域中に形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
Fターム (11件)：
5F110AA01
, 5F110AA06
, 5F110BB02
, 5F110CC02
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG14
, 5F110GG16
, 5F110GG22
, 5F110GG34
, 5F110GG36
