特許

J-GLOBAL ID：200903021783725595

量子波干渉層を有した半導体発光素子

発明者： 加納 浩之
出願人/特許権者： カナレ電気株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-241645
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068792
出願日： 1999年08月27日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】【課題】 新規な構造を有する発光ダイオードを提供すること。【解決手段】 発光ダイオード100は、発光層が多重量子井戸構造であり、発光層以外に第1層と第1層よりもバンド幅の広い第2層とを多重周期で積層した量子波干渉層を有する。発光層の井戸層のバンドギャップエネルギーが、量子波干渉層を形成するいずれの層のバンドギャップエネルギーよりも狭い。これにより発光強度が50%向上した。

請求項（抜粋）：

発光層を有する半導体発光素子において、発光層が単層であり、第1層と第1層よりもバンド幅の広い第2層とを多重周期で積層した量子波干渉層を少なくとも一つ有し、発光層の伝導帯と価電子帯とのバンドギャップが、いずれの量子波干渉層を形成する層の伝導帯と価電子帯とのバンドギャップよりも小さいことを特徴とする量子波干渉層を有した半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01S 5/343 ,  H01L 29/06 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 5/343 ,  H01L 29/06 ,  H01L 33/00 A

Fターム (13件)：

5F041AA03 ,  5F041CA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA66 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073CA06 ,  5F073CA07 ,  5F073DA06 ,  5F073EA23