特許
J-GLOBAL ID：200903021784848712
センサチップ及びセンサを用いて電流を測定する装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-267456
公開番号（公開出願番号）：特開平8-211138
出願日： 1995年10月16日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】【目的】 センサチップをこれに作用する温度勾配への依存性に関して改善すること、及びそのようなセンサチップを用いて電流の測定を行う装置を提供すること。【構成】 1つの共通の中心軸線(15)に対して対称的に間隔を置いて2つの領域(I,II)にて配置された4つの抵抗のうち直列に接続された各2つの抵抗(1,2,3,4)はホイートストンブリッジの各1つのブリッジ分岐(A,B)を形成し、a)上記領域(I,II)はそれぞれ同一のブリッジ分岐(A,B)の両抵抗(1,2;3,4)を有し、b)1つの領域(I,II)内で相応の磁気抵抗性層(膜)ストリップ(1′,2′,3′,4′)は例えばそれに設けられたたバーバー極(Barberpol)ー構造に関して相互に同じように鏡対称的に構成され、配置されていること。
請求項（抜粋）：
磁界強度勾配測定のためホイートストンブリッジの形のブリッジ回路を有するセンサチップであって、前記ブリッジ回路は4つの磁気抵抗(効果)素子形抵抗(1,2,3,4)から成り、該抵抗は1つの共通の中心軸線(15)に対して対称的に間隔を置いて2つの領域(I;II)にて配置されており、前記抵抗のうち直列に接続された各2つの抵抗(1,2;3,4)はホイートストンブリッジの各1つのブリッジ分岐(A,B)を形成し、ここで前記抵抗(1,2,3,4)は磁気抵抗性層(膜)ストリップ(1′,2′,3′,4′)として構成されている形式のセンサチップにおいて、a)上記領域(I,II)はそれぞれ同一のブリッジ分岐(A,B)の両抵抗(1,2;3,4)を有し、b)1つの領域(I,II)内で相応の磁気抵抗性層(膜)ストリップ(1′,2′,3′,4′)は例えばそれに設けられたたバーバー極(Barberpol)ー構造に関して相互に鏡対称的に等しく構成され、配置されていることを特徴とするセンサチップ。
IPC (3件)：
G01R 33/09
, G01R 19/00
, H01L 43/08
