特許
J-GLOBAL ID:200903021785497476
エッチング方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-055666
公開番号(公開出願番号):特開平8-250462
出願日: 1995年03月15日
公開日(公表日): 1996年09月27日
要約:
【要約】【目的】タングステンもしくはタングステン合金膜のエッチング時に生ずる導電性の残渣による電極、配線間のリークを低減する。【構成】タングステンもしくはタングステン合金膜のエッチングを過酸化水素または過酸化水素を含む混合液で行ない、その後フッ素系ガスまたはフッ素系ガスを含む混合ガスでドライエッチングする。これにより、導電性のエッチング残渣を除去し、タングステンもしくはタングステン合金からなる電極、配線間のリークを低減する。
請求項(抜粋):
基板上に形成されたタングステンもしくはタングステン合金膜上にマスクパターンを形成し、前記マスクパターンをマスクして前記タングステンもしくはタングステン合金膜を過酸化水素水又は過酸化水素を含む混合液でエッチングしてパターン形成した後で、前記エッチングで発生した残渣をフッ素系ガス又はフッ素系ガスを含む混合ガスで前記マスクパターンをマスクにしてドライエッチングして除去することを特徴とするエッチング方法。
IPC (5件):
H01L 21/306
, H01L 21/28
, H01L 21/3065
, H01L 21/308
, H01L 21/3213
FI (5件):
H01L 21/306 S
, H01L 21/28 E
, H01L 21/308 F
, H01L 21/302 N
, H01L 21/88 C
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