特許
J-GLOBAL ID：200903021788048974
シリコン両面実装基板及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-163640
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031976
出願日： 1994年07月15日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】【目的】 シリコンを基板とする電子部品実装基板の実装密度を向上させる。【構成】 シリコン基板1にウエットエッチングプロセス、パウダービームプロセスあるいはドライエッチングプロセスを用いてスルーホール2を穿設し、スルーホール2内部に導電体を形成して、シリコン基板両面の配線間の電気的接続を行う。更に、このシリコン基板1の両面に複数層の配線をして電子部品実装基板を作成するものである。【効果】 シリコン基板の両面に電子部品を実装し、スルーホールによって電気的接続をするので、実装密度が飛躍的に向上するとともに、高周波特性のよい回路を作成することができる。
請求項（抜粋）：
シリコンを基板とする電子部品実装基板において、シリコンウエハーの両面に、電子部品を実装し配線する少なくとも一層から成る配線層を設け、更に、前記両面の配線層を電導性のスルーホールで電気的に接続することを特徴とする、シリコン両面実装基板。
IPC (3件)：
H01L 23/12
, H05K 3/46
, H05K 1/11
