特許
J-GLOBAL ID：200903021792528735
荷電粒子ビーム装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-029215
公開番号（公開出願番号）：特開平9-222738
出願日： 1996年02月16日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：
【要約】【課題】 描画精度を向上させる。【解決手段】 下部電極6を試料8と等電位にし、上部電極4には電極6の電位を基準とする負の電圧を与える。電極6を試料8と等電位にすることにより、試料面上まで漏れる電界を小さくでき、試料8の移動に伴う試料付近の電界変化に起因するビーム1の位置ずれを十分小さくできる。また、上記負電圧を印加することにより、対物レンズ2及び偏向器3内のビーム通路へ入る二次電子の量を低減できる。開口5、7を小さくすることにより、ビーム通路へ入る反射電子の量を低減できる。これにより、ビーム通路内面に蓄積される電荷量を低減でき、チャージアップによるビーム位置精度低下を抑えることができる。
請求項（抜粋）：
荷電粒子ビームを集束させる対物レンズと荷電粒子ビームを偏向させて試料面上に照射する偏向器とを備えた荷電粒子ビーム装置において、前記対物レンズ及び偏向器と試料との間に順々に配置され、荷電粒子ビームを通過させるための開口をそれぞれ備えた複数の電極を有し、この電極のうち試料に面した第1の電極を試料と等電位とし、残りの電極のうち少なくとも1つの電極には第1の電極を基準とする負の電圧を与えることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
IPC (2件)：
G03F 7/20 504
, H01L 21/027
G03F 7/20 504
, H01L 21/30 541 E
