特許

J-GLOBAL ID：200903021796049874

半導体装置およびその製造方法

発明者： 二宮 仁
出願人/特許権者： NECエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-158778
公開番号（公開出願番号）：特開2004-363263
出願日： 2003年06月04日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：

【課題】縦型MOSFETのベース領域の下部領域にコラム領域を備えるSJデバイスを容易に製造することを可能にしたSJデバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】一導電型の基板101上に形成された一導電型のドリフト領域102と、当該ドリフト領域102の主面に形成された逆導電型のベース領域108と、ベース領域108に形成された一導電型のソース領域109と、ゲート絶縁膜106及びゲート電極107と、ベース領域108内に形成されたトレンチ105と、ドリフト領域102内のトレンチ105の直下の深い領域に形成された逆導電型のコラム領域104とを備える。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

一導電型の基板上に形成された一導電型のドリフト領域と、前記ドリフト領域の主面に形成された逆導電型のベース領域と、前記ベース領域に形成された一導電型のソース領域と、ゲート絶縁膜及びゲート電極と、前記ベース領域内に形成されたトレンチと、前記ドリフト領域内の前記トレンチの直下の深い領域に形成された逆導電型のコラム領域とを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L29/78

FI (3件)：

H01L29/78 652H ,  H01L29/78 652C ,  H01L29/78 653C