特許
J-GLOBAL ID：200903021797715770

トンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法

発明者：
佐藤 俊彦

佐藤 俊彦 について

, 
湯浅 新治

湯浅 新治 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について

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工業技術院長

工業技術院長 について


代理人 (2件)： 平木 祐輔 ,  平木 祐輔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-271282
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093119
出願日： 1999年09月24日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：
【要約】【課題】 トンネル伝導に寄与する電子状態の選択を最適化することによって高感度なTMR素子を実現する。【解決手段】 bcc構造を有する強磁性体層210とトンネルバリア層310との接合面を強磁性体層210の(211)面又は(110)面とする。トンネルバリア層310は、アルミが主要な金属膜表面によく濡れる性質を利用し、10Å以下のアルミニウム膜を磁性体金属表面に形成してこれを自然酸化又は酸素ラジカルにより酸化する段階と、これに続く酸素雰囲気中又は酸素ラジカル雰囲気中でのアルミナ薄膜形成を行う段階の二段階で形成したアルミナ薄膜である。
請求項（抜粋）：
第一の磁性体層と、トンネルバリア層と、第二の磁性体層とが順に積層された多層膜を備えるトンネル磁気抵抗効果素子において、前記第一の磁性体層はbcc構造を有する強磁性体であり、前記第一の磁性体層と前記トンネルバリア層との接合面が前記第一の磁性体層の(211)面又は(110)面であることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
IPC (2件)：
G11B 5/39 ,  H01F 10/32
FI (2件)：
G11B 5/39 ,  H01F 10/32
Fターム (10件)：
5D034BA04 ,  5D034BA15 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA09 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12
引用特許：
出願人引用 (7件)
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