熱電半導体素子、熱電変換装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：恩田博宣 , 恩田誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-086904
公開番号（公開出願番号）：特開2006-269818
出願日： 2005年03月24日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：

【課題】環境負荷物質を含まず、温度範囲が適切な熱半導体素子を提供すること。【解決手段】熱電変換装置10は、ベース部材11の上面11aに配列された複数の熱電素子14を備え、複数の熱電素子14は交互に配列された複数のp型熱電素子14a及びn型熱電素子14bから構成されている。各熱電素子14は、周期的に配置された複数のデルタ層を含む。デルタ層は、数原子層にのみドナー(donor )又はアクセプタ(acceptor)を高濃度にドーピングするデルタドーピングにより形成されたドーピング層である。ドーピング層を有する熱電素子14は、ドーピングされていない半導体が持つエネルギーギャップよりも小さなエネルギーギャップを持つ。デルタドーピングされた熱電半導体素子は、環境負荷物質を含む熱電半導体素子と同等の性質(温度特性)を示す。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

所定の熱電半導体の組成を有する原料合金からなる母材にドーパントが所定方向に周期的にデルタドーピングされたことを特徴とする熱電半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 35/26 , H01L 35/14 , H02N 11/00

FI (3件)：

H01L35/26 , H01L35/14 , H02N11/00 Z

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