薄膜トランジスタの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鳥居洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-053096
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244203
出願日： 1993年02月17日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】【目的】イオン注入に際してキャップ膜を用いずに、しかも2種類のドーズ量の層を堆積することなくLDD構造を得ることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供することを目的とする。【構成】チャンネル部となる領域を含めこの領域より少し大きな領域には大粒径の多結晶シリコン膜2aを形成し、その両側のコンタクト部となる領域には小粒径の多結晶半導体若しくはこれと非晶質半導体が混在するシリコン膜2bを形成する工程と、前記チャンネル部となる領域を除いて前記半導体膜に不純物をドーピングする工程と、を含む。

請求項（抜粋）：

チャネル部となる領域を含めこの領域より少し大きな領域には大粒径の多結晶の半導体膜を形成し、その両側のコンタクト部となる領域には小粒径の多結晶半導体若しくはこれと非晶質半導体が混在する半導体膜を形成する第1の工程と、前記チャネル部となる領域を除いて前記半導体膜に不純物をドーピングする第2の工程と、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 29/78 311 P , H01L 29/78 311 Y

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開昭59-195871
特公平5-054799
特開平2-120027

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