特許
J-GLOBAL ID:200903021804782420

半導体圧力センサチップの計測装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 佐藤 成示 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-165423
公開番号(公開出願番号):特開平10-009981
出願日: 1996年06月26日
公開日(公表日): 1998年01月16日
要約:
【要約】【課題】 半導体圧力センサチップの計測装置を提供する。【解決手段】 耐熱性樹脂で形成された凹部1aを有するソケット本体1と、圧力導入孔2aを有する蓋2とを有し、ソケット本体1における凹部1aの底面には、半導体圧力センサチップ4の電極配線をソケット本体1の外部に引き出すための外部引出用端子3が挿通するように設けられている。ここで、外部引出用端子3は、半導体圧力センサチップ4を凹部1a内に収納した際に、半導体圧力センサチップ4の電極配線と電気的に接続するように配置されている。
請求項(抜粋):
耐熱性樹脂で形成され、ダイヤフラムと該ダイヤフラム上に形成されたピエゾ抵抗と該ピエゾ抵抗と電気的に接続された電極配線とを有する半導体圧力センサチップを収納する凹部を有するソケット本体と、前記凹部を塞ぐように形成された圧力導入孔を有する蓋と、前記配線電極を前記ソケット本体の外部に引き出す外部引出用部とを有して成り、前記凹部に、前記半導体圧力センサチップを収納した際に、前記電極配線が前記外部引出部に電気的に接続されるとともに、前記蓋により前記半導体圧力センサチップが固定されるようにし、前記圧力導入孔より圧力を印加した状態で前記半導体圧力センサチップの特性を計測するようにしたことを特徴とする半導体圧力センサチップの計測装置。
IPC (3件):
G01L 9/04 101 ,  G01L 27/00 ,  H01L 29/84
FI (3件):
G01L 9/04 101 ,  G01L 27/00 ,  H01L 29/84 B

前のページに戻る