特許

J-GLOBAL ID：200903021807663049

薄膜トランジスタ

発明者： 蛇口 広行
出願人/特許権者： 株式会社フロンテック
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-248184
公開番号（公開出願番号）：特開平8-116062
出願日： 1994年10月13日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：

【要約】【目的】 半導体層に光が入射しない構造として半導体層のリーク電流を抑え、薄膜トランジスタのオフ電流を低くできる薄膜トランジスタ。【構成】 基板14上にゲート電極30が形成され、基板上面とゲート電極とを覆ってゲート絶縁層16が形成され、ゲート絶縁層上に半導体層36が形成され、半導体層上に離間して対向状態でソース電極34及びドレイン電極32が形成されてなり、前記ゲート電極が半導体層よりも広く形成され、前記ゲート絶縁層上であって半導体層の近傍にはソース電極及び又はドレイン電極が形成されていないことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上にゲート電極が形成され、基板上面とゲート電極とを覆ってゲート絶縁層が形成され、該ゲート絶縁層上に半導体層が形成され、半導体層上に離間して対向状態でソース電極およびドレイン電極が形成されてなり、前記ゲート電極が半導体層よりも広く形成され、前記ゲート絶縁層上であって半導体層の近傍にはソース電極及び又はドレイン電極が形成されていないことを特徴とする薄膜トランジスタ。

FI (2件)：

H01L 29/78 617 K ,  H01L 29/78 619 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-091468
  
• 特開平1-091468
  
• 特開昭61-203484
  
• 特開昭62-209514