特許

J-GLOBAL ID：200903021807985380

層間絶縁膜の形成方法、及び半導体装置

発明者： 加藤 俊夫 ,  徳増 徳 ,  黒飛 誠 ,  於久 泰三
出願人/特許権者： キヤノン販売株式会社 ,  株式会社半導体プロセス研究所
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-162917
公開番号（公開出願番号）：特開2000-353740
出願日： 1999年06月09日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：

【要約】【課題】 低誘電率の層間絶縁膜の形成方法、及びその方法を用いて作製される半導体装置を提供すること。【解決手段】 被形成体103上にアルミニウム膜104を形成する工程と、前記アルミニウム膜104上にSiN膜105を形成する工程と、前記SiN膜105を選択的にエッチングして該SiN膜105のパターンを形成する工程と、前記SiN膜105をマスクとして前記アルミニウム膜104をエッチングし、該アルミニウム膜104のパターンを形成する工程と、前記アルミニウム膜の側部104aを選択的にエッチングし、前記SiN膜のひさし部分105aを形成する工程と、全体にSiO2 膜106を形成する工程とを有する層間絶縁膜の形成方法。

請求項（抜粋）：

被形成体上に金属膜を形成する工程と、前記金属膜上に第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜を選択的にエッチングして該第1の絶縁膜のパターンを形成する工程と、前記第1の絶縁膜をマスクとして前記金属膜をエッチングし、該金属膜のパターンを形成する工程と、前記金属膜の側部を選択的にエッチングし、該金属膜上に前記第1の絶縁膜のひさし部分を形成する工程と、全体に第2の絶縁膜を形成する工程とを有する層間絶縁膜の形成方法。

Fターム (22件)：

5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033MM01 ,  5F033PP14 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ20 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033RR14 ,  5F033RR29 ,  5F033SS02 ,  5F033SS13 ,  5F033SS15 ,  5F033TT01 ,  5F033XX25 ,  5F033XX27

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-296644
  
• 特開平4-073964
  
• 特開昭61-194850