特許

J-GLOBAL ID：200903021809939203

半導体装置およびその製造方法

発明者： 申 憲宗 ,  宋 潤洽
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-205187
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163457
出願日： 1993年08月19日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】 均一なシリサイド膜を有する半導体装置およびこれを製造する方法を提供する。【構成】 底層12上に第1導電層13としてたとえばポリシリコンを形成し、この第1導電層13上にシリコンの移動を防ぐためのバッファ層と第2導電層として不純物が注入されないポリシリコンを連続して形成する。次いで、第2導電層上に耐火金属層を形成し、熱処理を行ない、バッファ層、第2導電層および耐火金属層のシリサイド膜を第1導電層13上に形成する。

請求項（抜粋）：

底層上に第1導電層を形成する段階と、前記第1導電層上にシリコンの層間移動を抑制するためのバッファ層と第2導電層とを連続して形成する段階と、前記第2導電層上に耐火金属層を形成し熱処理する段階とを備える、半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 21/88 Q ,  H01L 29/78 301 G