ケイ素化合物含有複合材料および記録素子

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-247472
公開番号（公開出願番号）：特開2004-083757
出願日： 2002年08月27日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：

【課題】従来のメモリー性を有する液晶表示素子としては、高分子液晶を用いた素子、液晶と高分子液晶との複合材料、液晶と高分子化合物との複合材料などが報告されている。しかしながら高分子液晶においては、書き込みエネルギーが大きく、液晶と高分子化合物との複合材料においても、書込電圧または飽和電圧が100V以上である。従って、書き込みエネルギーが小さく、メモリー性を有する記録素子が求められている。本発明の目的は、このような従来技術の問題点を改善できる複合材料を提供することである。【解決手段】かご型構造の有機ケイ素基を少なくとも2つ有する化合物と液晶とを含有する複合材料。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

かご型構造の有機ケイ素基を少なくとも2つ有する化合物と液晶とを含有する複合材料。

IPC (6件)：

C08G77/50 , C07F7/21 , C08F30/08 , C08K5/00 , C08L83/04 , G02F1/13

FI (6件)：

C08G77/50 , C07F7/21 , C08F30/08 , C08K5/00 , C08L83/04 , G02F1/13 505

Fターム (46件)：

2H088EA62 , 2H088GA02 , 2H088GA03 , 2H088GA04 , 2H088GA10 , 2H088GA11 , 2H088HA02 , 2H088HA06 , 2H088HA18 , 2H088HA28 , 2H088JA04 , 2H088JA17 , 2H088KA24 , 2H088KA26 , 2H088KA27 , 2H088KA28 , 2H088MA20 , 4H049VN01 , 4H049VP08 , 4H049VP09 , 4H049VQ07 , 4H049VQ30 , 4H049VR21 , 4H049VR23 , 4H049VR41 , 4H049VR43 , 4H049VU24 , 4H049VW01 , 4J002CP031 , 4J002CP131 , 4J002CP141 , 4J002CP161 , 4J002ER006 , 4J002FD206 , 4J035BA11 , 4J035CA13U , 4J035CA131 , 4J035HA01 , 4J035LB20 , 4J100AP16P , 4J100BA02P , 4J100BA15P , 4J100CA01 , 4J100CA04 , 4J100EA12 , 4J100JA32

引用特許：

審査官引用 (14件)

ケイ素系ハイブリツド材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-280506 出願人：鐘淵化学工業株式会社
特開平4-217688
シリコーン化合物及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-060904 出願人：新日鐵化学株式会社, 新日本製鐵株式会社

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