特許
J-GLOBAL ID：200903021820684330
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
熊谷 雄太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-202714
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053158
出願日： 1992年07月29日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の製造時に使用するフォトマスクを減らすことにより、製造コストの低減を計る。【構成】 半導体装置のある任意箇所へ不純物を注入する場合に用いられるフォトマスクのパターン形状が、その不純物が注入される面積より小さな面積のパターンの集合で形成されていること及びそのフォトマスクを1回以上用いて半導体装置の任意箇所へ不純物を注入する。
請求項（抜粋）：
半導体装置の任意箇所へ不純物を注入する場合に用いられるフォトマスクのパターン形状において、不純物注入を行うある箇所のフォトマスクパターンの形状がその不純物注入がされる面積より小さな面積のパターンの集合で形成されて、そのフォトマスクを1回以上用いて半導体装置の任意箇所へ不純物注入を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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