特許

J-GLOBAL ID：200903021822351126

レジストパターンの形成方法

発明者： 中川 健二 ,  金沢 政男 ,  春木 珠江 ,  田端 康子
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-191125
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198479
出願日： 1992年07月17日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：

【要約】【目的】本発明は、半導体装置の製造方法におけるレジストパターンの形成方法に関し、従来の結像光学系の解像度の限界を超える微細ホールを形成することができるレジストパターンの形成方法を提供することを目的とする。【構成】ガラス基板2上に位相シフタ膜7のエッジ部で描かれた第1のパターンを有するレチクル6を形成し、半導体基板5上にレジスト9を塗布し、レチクル6の第1のパターンをレジスト9に露光しパターニングして、第1の微細スペースパターンを形成し、半導体基板5及びレジスト9上にレジスト10を塗布し、第1のパターンに交差する第2のパターンをレジスト10に露光しパターニングして第2の微細スペースパターンを形成することにより、第1の微細スペースパターンと第2の微細スペースパターンの交差部に微小矩形開口部11を形成するように構成する。

請求項（抜粋）：

ガラス基板上に第1の位相シフタ膜のエッジ部で描かれた第1のパターンを有する第1のレチクルを用いて、半導体基板上に塗布した第1のレジストに前記第1のパターンを露光し、パターニングして第1の微細スペースパターンを形成し、ガラス基板上に、第2の位相シフタ膜のエッジ部で描かれ、前記第1のパターンと交差する形状の第2のパターンを有する第2のレチクルを用いて、前記半導体基板及び前記第1のレジスト上に塗布した第2のレジストに前記第2のパターンを露光し、パターニングして第2の微細スペースパターンを形成することにより、前記第1の微細スペースパターンと前記第2の微細スペースパターンの交差部に微小矩形開口部を形成することを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521

FI (3件)：

H01L 21/30 311 W ,  H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 311 L

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開平4-271353