半導体装置をテストする装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-223694
公開番号（公開出願番号）：特開2002-118156
出願日： 2001年07月24日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：

【要約】【課題】温度を変更する際に待つ必要がなく、したがって、長い待ち時間を回避することができ、その上様々な半導体装置をテストする際に費用のかかる装備の変更をする必要がないような半導体装置をテストする装置を提供すること。【解決手段】上記半導体装置(3)に、それぞれ特定の波長(λ)および特定の強度(I)の光を、それぞれ所定の時間(T)当てることが可能であり、その結果、上記半導体装置(3)にこの光を照射すると、伝導帯への距離が短過ぎる価電子帯から、それぞれの伝導帯へ電子を移行させることができる同調可能な光源(4)を備える装置。

請求項（抜粋）：

半導体装置から欠陥のある半導体装置を選別するための、半導体装置をテストするための装置であって、該欠陥のある半導体装置では、価電子帯と伝導帯との間の距離が、欠陥のない半導体装置よりも低い値を有する、装置において、同調可能な光源(4)であって、該同調可能な光源は、該半導体装置(3)に、それぞれ特定の波長(λ)および特定の強度(I)の光を、それぞれ所定の時間(T)当てることが可能であり、その結果、該半導体装置(3)にこの光を照射すると、伝導帯への距離が短過ぎる価電子帯から、それぞれの伝導帯へ電子を移行させることができる、同調可能な光源、を備えることを特徴とする、装置。

IPC (2件)：

H01L 21/66 , G01R 31/28

FI (4件)：

H01L 21/66 C , H01L 21/66 B , H01L 21/66 W , G01R 31/28 B

Fターム (8件)：

2G132AA08 , 2G132AF14 , 4M106AA01 , 4M106AA02 , 4M106BA01 , 4M106BA14 , 4M106CA26 , 4M106DD08

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体メモリ装置の試験方法および試験装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-013185 出願人：日本電気株式会社

前のページに戻る