特許
J-GLOBAL ID：200903021827870377
強誘電体メモリセルの自己参照のための装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-321401
公開番号（公開出願番号）：特開2001-160286
出願日： 2000年10月20日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：
【要約】【課題】 メモリセルの経年変化に依存せずかつ参照電圧を得るためにヒステリシス領域ができるだけ利用される、強誘電体メモリセルの自己参照のための装置を提供することである。【解決手段】 上記課題は、本発明によれば、ビットラインが2つの互いに異なる正反対の電圧に第1の電圧値及び第2の電圧値によってプリチャージされている間に、メモリセルは次々に読み出し可能であり、この場合に得られる2つの電圧値は、これら2つの電圧値が互いに比較されるために評価器に供給される前に、それぞれ第1の乃至は第2のキャパシタンスにバッファ可能であることによって解決される。
請求項（抜粋）：
強誘電体メモリセル(FCS、T)の自己参照のための装置であって、前記強誘電体メモリセル(FCS、T)は、セルプレートを有する強誘電体メモリコンデンサ(FCS)及びトランスファトランジスタ(T)から成り、ワードライン(WL)及びビットライン(BL)を介して制御されるメモリセルフィールドに設けられており、前記強誘電体メモリコンデンサ(FCS)は前記セルプレートライン(CP)と前記トランスファトランジスタ(T)との間にあり、自己参照のために評価器(1)を用いてメモリセルは読み出しプロセスの後で参照電圧を得るためにあらためて読み出される、強誘電体メモリセル(FCS、T)の自己参照のための装置において、前記ビットライン(BL)が2つの互いに異なる正反対の電圧(VCC、0V)に第1の電圧値及び第2の電圧値によってプリチャージされている間に、前記メモリセル(FCS、T)は次々に読み出し可能であり、この場合に得られる2つの電圧値は、これら2つの電圧値が互いに比較されるために前記評価器(1)に供給される前に、それぞれ第1の乃至は第2のキャパシタンス(CK1、CK2;CBSA、CPSA;CBS1、CBS2)にバッファ可能であることを特徴とする、強誘電体メモリセル(FCS、T)の自己参照のための装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 11/22
, G11C 11/34 352 A
