特許
J-GLOBAL ID：200903021828017759
平面化した厚膜層を有する超小型電気機械的ダイモジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-261704
公開番号（公開出願番号）：特開平8-118653
出願日： 1995年10月09日
公開日（公表日）： 1996年05月14日
要約：
【要約】【課題】 2つのシリコン基体がパターン化されたポリマ系材料の中間厚膜層によって互いに接合された改良された超小型電気機械的装置を提供する。【解決手段】 サーマルインクジェットダイ又はプリントヘッドのような改良された超小型電気機械的装置は、ポリイミドのようなパターン化されたポリマ系材料の中間厚膜により互いに接合された2つの平らな基体によって形成される。パターン化された厚膜層は、基体間の接合強度を改善するように平面化される。この平面化により、厚膜層の付着中及び/又はそこにくぼみをパターン化する間に生じる幾何学的生成物が除去される。
請求項（抜粋）：
パターン化されたポリマ系の厚膜層が2つの基体間に結合された複数の超小型電気機械的ダイモジュールを製造する方法において、(a)第1基体の平らな面に複数の電気回路を形成し、(b)上記電気回路を不活性化し、(c)上記第1基体の面及び上記不活性化された電気回路の上に厚膜のポリマ系絶縁層を付着し、この厚膜層は外面を有し、(d)各電気回路に対し所定の位置において上記厚膜層に少なくとも1つのくぼみを形成するように上記厚膜層をパターン化し、各くぼみは上記厚膜層の外面に縁を有し、(e)上記第1基体上の上記パターン化された厚膜層を硬化し、(f)上記パターン化された厚膜層の外面の化学的-機械的研磨を行って上記パターン化された厚膜層の外面を平面化すると共に、その手前の段階のいずれかにより形成された地形学的形成物を除去し、そして(g)上記第1基体上の上記パターン化された厚膜層の上記平面化された外面に第2基体の平らな面を接合する、という段階を備えたことを特徴とする方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
B41J 3/04 103 B
, B41J 3/04 103 H
