特許

J-GLOBAL ID：200903021831904448

マッハツェンダ型半導体素子及びその制御方法

発明者： 和田 浩
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-072775
公開番号（公開出願番号）：特開2007-248850
出願日： 2006年03月16日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：

【課題】導波路の長さが設計値からずれている場合に、光の損失量を大きくすること無く、しかもアイパターンを劣化させることなく、位相差を調整する。【解決手段】半導体基板22の一方の主表面上に、導波路層30及び半導体層26を順次に積層して構成されていて、他方の主表面上に共通電極46を備えている。導波路層30は、入射導波路32、光分波器33、第1分岐導波路34、第2分岐導波路36、光合波器37及び出射導波路38に区分されている。第1分岐導波路の上側に変調電極40が設けられていて、共通電極との間に変調電圧を印加して第1分岐導波路の屈折率を変える。第2分岐導波路の上側に、正バイアス電圧が印加されて、第2分岐導波路の屈折率を変える正バイアス電極53と、負バイアス電圧が印加されて、キャリアを第2分岐導波路から半導体層に掃きだす、第1及び第2負バイアス電極55及び57を含む位相調整電極群50を備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板の一方の主表面上に、導波路層及び第2導電型の半導体層を順次に積層して構成されていて、該半導体基板の他方の主表面上に共通電極を備えているマッハツェンダ型変調器であって、 前記導波路層は、 当該マッハツェンダ型変調器の外部から入射された入射光を導波する入射導波路と、 該入射導波路に接続されていて、前記入射光を第1分岐光と第2分岐光に2分岐する光分波器と、 該光分波器に接続されていて、前記第1分岐光を導波する第1分岐導波路と、 前記光分波器に接続されていて、前記第2分岐光を導波する第2分岐導波路と、 前記第1分岐導波路及び第2分岐導波路に接続されていて、前記第1分岐光と第2分岐光を合波して出射光を生成する光合波器と、 該光合波器に接続されていて、前記出射光を導波して、当該マッハツェンダ型変調器から出射する出射導波路と に区分されており、 前記第1分岐導波路の上側に設けられている変調電極であって、前記共通電極との間に変調電圧を印加して該第1分岐導波路の屈折率を変えるための当該変調電極と、 前記第2分岐導波路の上側に、前記第2分岐光が導波される方向に順次にかつ互いに離間してそれぞれ設けられている、第1負バイアス電極、正バイアス電極及び第2負バイアス電極を含む位相調整電極群であって、前記共通電極との間に正バイアス電圧を印加して、前記第2分岐導波路にキャリアを注入して該第2分岐導波路の屈折率を変える正バイアス電極と、前記共通電極との間にそれぞれ第1及び第2負バイアス電圧を印加して、前記キャリアを前記第2分岐導波路から前記半導体層に掃きだす第1負バイアス電極及び第2負バイアス電極とを含む当該位相調整電極群と を備えていることを特徴とするマッハツェンダ型半導体素子。

IPC (1件)：

G02F 1/025

FI (1件)：

G02F1/025

Fターム (9件)：

2H079AA02 ,  2H079AA05 ,  2H079AA12 ,  2H079BA01 ,  2H079BA03 ,  2H079DA16 ,  2H079EA07 ,  2H079EB04 ,  2H079HA11

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 偏波無依存光制御素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-197834   出願人：日本電信電話株式会社

審査官引用 (1件)

• 特開平3-196120