特許
J-GLOBAL ID：200903021833139099
定電圧ダイオード及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-270923
公開番号（公開出願番号）：特開平10-117003
出願日： 1996年10月14日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：
【要約】【課題】 サージ耐量、信頼性が高い、一定の耐圧に制御された定電圧ダイオードを得る。【解決手段】 n型半導体領域1の一方の表面からn型半導体領域1に延び、一方の主表面でn型半導体領域1との間に終端する第1のpn接合を形成するp+型半導体領域2、22が、一定の間隔でn型半導体領域1を主表面に露出させるように複数形成され、他方の表面に高不純物濃度のn+ 型半導体領域3が形成されている。また、n型半導体領域1及びn+ 型半導体領域3に包囲される位置に第2、第3のpn接合を形成する高不純物濃度のp+ 型半導体領域4が、p+ 型半導体領域2、22のほぼ直下に複数配置されて構成されている。【効果】 急峻な逆バイアス電圧が印加されるとn型基板全体に拡がる空乏層の先端がp+型半導体領域4にまで延び、p+型半導体領域4とn+ 型高不純物濃度の半導体領域3との間でアバランシェ降伏が生じ、局所的な熱破壊を防止する。
請求項（抜粋）：
一対の主表面を有する半導体基体のそれぞれの主表面に第1、第2の主電極が設けられて構成される定電圧ダイオードにおいて、前記半導体基体は、一方の主表面に隣接する第1導電型の第1半導体領域の一方の主表面から第1半導体領域に延び、第1半導体領域との間に終端する第1のpn接合を形成する第1半導体領域より高不純物濃度の第2導電型の第2半導体領域が、一方の主表面から見て第2半導体領域の外周部の内側に、少なくとも1つ以上の第1半導体領域が一方の主表面に露出する部分を有するように形成され、他方の主表面に第1半導体領域に隣接する第1半導体領域より高不純物濃度の第1導電型の第3半導体領域が形成され、第1半導体領域及び第3半導体領域に包囲され第1半導体領域及び第3半導体領域との間に第2のpn接合及び第3のpn接合を形成する第2半導体領域より高不純物濃度を有する他方導電型の第4半導体領域が形成されて構成され、前記第1の主電極は、前記半導体基体の一方の主表面に、第2半導体領域にオーミック接触し、第2半導体領域の外周部の内側に露出する少なくとも1つ以上の第1半導体領域にショットキー接触して設けられ、前記第2の主電極は、前記半導体基体の他方の主表面に、第3半導体領域にオーミック接触して設けられたことを特徴とする定電圧ダイオード。
IPC (2件)：
H01L 29/872
, H01L 29/866
H01L 29/48 F
, H01L 29/90 D
