銅薄膜パターンの形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-044567
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254604
出願日： 1994年03月16日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：

【要約】【目的】銅薄膜パターンの形成方法に関し、腐食を伴わない微細パターンの形成を目的とする。【構成】被処理基板1の上に銅または銅合金の薄膜3を形成した後、この薄膜3を塩素系のエッチャントを用いてドライエッチングを行なって銅または銅合金よりなる薄膜パターン5の形成を行なった後、被処理基板1をアンモニア水に浸漬し、薄膜パターン5の側壁6および基板に付着している反応生成物7と吸着している塩素ガスを溶解除去することを特徴として銅薄膜パターンの形成方法を構成する。

請求項（抜粋）：

被処理基板(1)の上に銅または銅合金の薄膜(3)を形成した後、該薄膜(3)を塩素系のエッチャントを用いてドライエッチングを行なって銅または銅合金よりなる薄膜パターン(5)の形成を行なった後、前記基板(1)をアンモニア水に浸漬し、前記薄膜パターン(5)の側壁(6)に付着している反応生成物(7)と吸着している塩素ガスを溶解除去することを特徴とする銅薄膜パターンの形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3213 , H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/88 C , H01L 21/88 M

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