特許
J-GLOBAL ID：200903021840388320
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-306742
公開番号（公開出願番号）：特開平9-167815
出願日： 1983年09月16日
公開日（公表日）： 1997年06月24日
要約：
【要約】【課題】半導体装置の耐熱疲労性を向上させる。【解決手段】 半導体チップ3と基板1の対向する電極端子間が導電体10で接続され、少なくとも導電体周囲の空隙部に樹脂組成物11の硬化物が充填されてなる半導体装置において、樹脂組成物11を、熱硬化性樹脂と、この樹脂よりも小さい熱膨張係数を有する無機材料からなる第1の粉流体及びゴム状弾性材料からなる第2の粉流体とを含み、この硬化物は、半導体チップの反基板側表面の放熱面を除き半導体チップの外周部とこれに対向する基板の表面とを包囲させて形成することにより、耐熱疲労性を向上させるものである。
請求項（抜粋）：
半導体チップと、この半導体チップが載置される基板と、この基板と前記半導体チップとの対向する電極端子間を接続してなる導電体と、少なくとも前記導電体周囲の空隙部に充填された樹脂組成物の硬化物とを含んでなる半導体装置において、前記樹脂組成物は、熱硬化性樹脂と、この樹脂よりも小さい熱膨張係数を有する無機材料からなる第1の粉流体及びゴム状弾性材料からなる第2の粉流体とを含み、この硬化物は、前記半導体チップの反基板側表面の放熱面を除き前記半導体チップの外周部とこれに対向する前記基板の表面とを包囲してなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/29
, H01L 23/31
, H01L 21/60 311
H01L 23/30 R
, H01L 21/60 311 S
, H01L 23/30 B
