特許
J-GLOBAL ID：200903021840839080

磁気抵抗効果素子

発明者：
前田 篤志

前田 篤志 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 目次 誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-249437
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098220
出願日： 1996年09月20日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：
【要約】【課題】 従来より高いMR変化を示すことができる新規な磁気抵抗効果素子の素子構造を得る。【解決手段】 一対の強磁性層4,6の間に非磁性導電層5が挟まれた積層構造を有する積層膜3と、積層膜3に検出電流を流す一対の電極7,8と、一対の強磁性層4,6の少なくとも一方の強磁性層と電極7,8との間に設けられ、強磁性層4,6にスピン偏極した電子を与えるための強磁性体からなるフィルタ層1,2とを備え、スピン偏極した電子が与えられる強磁性層4,6中の電子の移動の距離がスピン拡散長よりも短くなるように設定されていることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
一対の強磁性層の間に非磁性導電層が挟まれた積層構造を有する積層膜と、前記積層膜に検出電流を流すための一対の電極と、前記一対の電極のうちの正極と前記一対の強磁性層のうちの一方の強磁性層との間に設けられ、前記強磁性層にスピン偏極した電子を与えるための強磁性体からなるフィルタ層とを備え、前記強磁性層中の電子の移動の距離がスピン拡散長より短くなるように設定されている磁気抵抗効果素子。
IPC (2件)：
H01L 43/08 ,  G11B 5/39
FI (2件)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39
引用特許：
審査官引用 (4件)
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