特許

J-GLOBAL ID：200903021841921146

炭化ケイ素発光ダイオード素子

発明者： 古賀 和幸 ,  八木 克己
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-096042
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310753
出願日： 1993年04月22日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：

【要約】【目的】 p型SiC側からの発光強度が大きいSiC発光ダイオード素子を提供することを目的とする。【構成】 6H形のn型SiC単結晶基板1と、このn型SiC単結晶基板1上に形成された6H形のn型SiC層2と、このn型SiC層2上に形成された6H形のp型SiC層3と、p型SiC層3上に形成された6H形のp型SiC層4を備え、このp型SiC層3、4のドーパントがAlである。

請求項（抜粋）：

第1結晶形のn型SiC基板と、該n型SiC基板上に形成された第1結晶形のn型SiC層と、該n型SiC層上に形成された第1結晶形のp型SiC層と、からなる炭化ケイ素発光ダイオード素子において、前記第1結晶形のp型SiC層上に該第1結晶形のp型SiC層に比べて禁制帯幅が広く且つ不純物の活性化率が大きい高キャリア濃度の第2結晶形のp型SiC層を設けたことを特徴とする炭化ケイ素発光ダイオード素子。