特許
J-GLOBAL ID：200903021844784492
イオン注入装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安田 敏雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-178541
公開番号（公開出願番号）：特開平6-020640
出願日： 1992年07月06日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】 被処理物の表面形状に係わらず所望の表面にイオン注入をすることができ、しかも構造が簡単なイオン注入装置を提供する。【構成】 本発明のイオン注入装置は、内部を真空に保持する真空槽1と、真空槽1の内部に設置された被処理物5の表面にイオンビームを照射するためのイオン源6を備えている。前記真空槽1には複数個の取付口2が開設されている。被処理物5の所望の表面にイオンビームを照射するために必要な1個以上のイオン源6が前記表面に対向した取付口2に気密に取り付けられている。
請求項（抜粋）：
内部を真空に保持する真空槽と、真空槽の内部に設置された被処理物の表面にイオンビームを照射するためのイオン源を備え、前記イオン源は真空槽に開設された取付口に気密に取り付けられたイオン注入装置において、前記真空槽には複数個の取付口が開設され、被処理物の所望の表面にイオンビームを照射するために必要な1個以上のイオン源が前記表面に対向した取付口に取り付けられていることを特徴とするイオン注入装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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