特許

J-GLOBAL ID：200903021844799023

分子線結晶成長方法

発明者： 能米 雅信
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-321260
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139348
出願日： 1995年11月16日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：

【要約】【目的】 連続して複数の基板に対する結晶成長を行う際に、各基板に対して最適のAs圧力で成長を行い得るようにする。As欠成長基板の発生の防止。【構成】 基板ホルダー4にテスト成長用の基板5をセットし、駆動式ヌードイオンゲージ2を基板5の直下に移動させゲージの値が最適値になるようにAs分子線源7の温度を調整する。ゲージ2を元の側壁部に戻し、As圧を測定しその測定値を最適値として記録する。テスト基板に対して実際に成長を行い、成長終了後基板5を取り出し外観を観察し、良品であれば先に記録したAs圧力を最適値であると決定する。次に、ロード室10に製品用の基板5を10サイクル分をセットし、スタートボタンを押すと1番目の基板がホルダー4にセットされる。続いて、As圧が先の最適値になるように分子線源7の温度が制御され成長が行われる。2番目以降の基板についても同様にAs圧を制御して成長を行う。

請求項（抜粋）：

複数のウェハを連続して成長室内に搬入し搬出することのできる機構を有する分子線結晶成長装置を用いたヒ素(As)を含むIII -V族化合物半導体の結晶成長方法であって、成長室側壁近くに装着されたヌードイオンゲージによりAsの圧力を監視し該圧力が所定値になるようにAsソース用セルの温度調整を行いながら、複数ウェハに対し順次結晶成長を行うことを特徴とする分子線結晶成長方法。

IPC (3件)：

H01L 21/203 ,  C30B 23/08 ,  C30B 29/40 502

FI (3件)：

H01L 21/203 M ,  C30B 23/08 M ,  C30B 29/40 502 K