特許

J-GLOBAL ID：200903021855740292

ZnOセラミックス抵抗体及びその製造方法

発明者： 元脇 成久 ,  田中 滋 ,  高橋 研 ,  前田 邦裕
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  新技術事業団
代理人 (1件)： 鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-258165
公開番号（公開出願番号）：特開平10-106810
出願日： 1996年09月30日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】 電圧-電流特性の直線性が良好で、高電界の連続通電時にも抵抗率低下を抑制できる高性能なZnO系セラミックス抵抗体を提供する。【解決手段】 本発明は、ZnO:70モル%、Al2O3:5〜20モル%、MgO:3〜10モル%からなる焼結体に、RuO2を該焼結体の0.01〜1wt%あるいはRuO2及びWO3を同0.01〜1wt%づつ含ませてなる。そしてRuO2、WO3は焼結体にRu、Wを溶解した溶液を含浸させ、焼成することにより生成する。

請求項（抜粋）：

ZnO:70〜90モル%、Al2O3:5〜20モル%およびMgO:3〜10モル%からなる焼結体に、RuO2を該焼結体の0.01〜1wt%含ませてなり、電圧-電流特性が直線性を有するZnOセラミックス抵抗体。

IPC (2件)：

H01C 7/10 ,  C04B 35/453

FI (2件)：

H01C 7/10 ,  C04B 35/00 P